GPA030A135MN-FDR
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Artikelnummer
GPA030A135MN-FDR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Ingångstyp
Standard
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-3
Effekt - Max
329W
Leverantörsenhetspaket
TO-3PN
Omvänd återhämtningstid (trr)
450ns
Aktuell - Samlare (Ic) (Max)
60A
Spänning - Emitter Collector Breakdown (Max)
1350V
IGBT typ
Trench Field Stop
Vce(aktiv) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Ström - Pulserande samlare (Icm)
90A
Energiövergång
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Gateavgifter
300nC
BP (på/av) vid 25°C
30ns/145ns
Konditionstest
600V, 30A, 5 Ohm, 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18544 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GPA030A135MN-FDR
GPA030A135MN-FDR Elektroniska komponenter
GPA030A135MN-FDR Försäljning
GPA030A135MN-FDR Leverantör
GPA030A135MN-FDR Distributör
GPA030A135MN-FDR Datatabell
GPA030A135MN-FDR Foton
GPA030A135MN-FDR Pris
GPA030A135MN-FDR Erbjudande
GPA030A135MN-FDR Lägsta pris
GPA030A135MN-FDR Sök
GPA030A135MN-FDR Köp av
GPA030A135MN-FDR Chip