GA10JT12-247
TRANS SJT 1.2KV 10A
Artikelnummer
GA10JT12-247
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AB
Effektförlust (max)
170W (Tc)
FET typ
-
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 10A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15921 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GA10JT12-247
GA10JT12-247 Elektroniska komponenter
GA10JT12-247 Försäljning
GA10JT12-247 Leverantör
GA10JT12-247 Distributör
GA10JT12-247 Datatabell
GA10JT12-247 Foton
GA10JT12-247 Pris
GA10JT12-247 Erbjudande
GA10JT12-247 Lägsta pris
GA10JT12-247 Sök
GA10JT12-247 Köp av
GA10JT12-247 Chip