ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Artikelnummer
ZXMN10B08E6TA
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
SOT-26
Effektförlust (max)
1.1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
497pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.3V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53850 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av ZXMN10B08E6TA
ZXMN10B08E6TA Elektroniska komponenter
ZXMN10B08E6TA Försäljning
ZXMN10B08E6TA Leverantör
ZXMN10B08E6TA Distributör
ZXMN10B08E6TA Datatabell
ZXMN10B08E6TA Foton
ZXMN10B08E6TA Pris
ZXMN10B08E6TA Erbjudande
ZXMN10B08E6TA Lägsta pris
ZXMN10B08E6TA Sök
ZXMN10B08E6TA Köp av
ZXMN10B08E6TA Chip