Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
DMT6012LSS-13
MOSFET N-CH 60V8SOIC
Artikelnummer
DMT6012LSS-13
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
1.2W (Ta)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1522pF @ 30V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28927 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMT6012LSS-13
DMT6012LSS-13 Elektroniska komponenter
DMT6012LSS-13 Försäljning
DMT6012LSS-13 Leverantör
DMT6012LSS-13 Distributör
DMT6012LSS-13 Datatabell
DMT6012LSS-13 Foton
DMT6012LSS-13 Pris
DMT6012LSS-13 Erbjudande
DMT6012LSS-13 Lägsta pris
DMT6012LSS-13 Sök
DMT6012LSS-13 Köp av
DMT6012LSS-13 Chip