Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
Artikelnummer
DMN2020LSN-7
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SC-59-3
Effektförlust (max)
610mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1149pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18159 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av DMN2020LSN-7
DMN2020LSN-7 Elektroniska komponenter
DMN2020LSN-7 Försäljning
DMN2020LSN-7 Leverantör
DMN2020LSN-7 Distributör
DMN2020LSN-7 Datatabell
DMN2020LSN-7 Foton
DMN2020LSN-7 Pris
DMN2020LSN-7 Erbjudande
DMN2020LSN-7 Lägsta pris
DMN2020LSN-7 Sök
DMN2020LSN-7 Köp av
DMN2020LSN-7 Chip