köpa Diodes Incorporated DMN2016UTS-13 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

DMN2016UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Artikelnummer

DMN2016UTS-13

Tillverkare/varumärke

Diodes Incorporated

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Cut Tape (CT)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Effekt - Max

880mW

Leverantörsenhetspaket

8-TSSOP

FET typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-funktioner

Logic Level Gate

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

8.58A

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1495pF @ 10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 21308 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated