köpa Diodes Incorporated DMN2016LHAB-7 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

DMN2016LHAB-7

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Artikelnummer

DMN2016LHAB-7

Tillverkare/varumärke

Diodes Incorporated

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Cut Tape (CT)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

6-UDFN Exposed Pad

Effekt - Max

1.2W

Leverantörsenhetspaket

U-DFN2030-6

FET typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-funktioner

Logic Level Gate

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

7.5A

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1550pF @ 10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 20845 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated