köpa Diodes Incorporated DMN2016LFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

DMN2016LFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Artikelnummer

DMN2016LFG-7

Tillverkare/varumärke

Diodes Incorporated

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Cut Tape (CT)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

8-PowerUDFN

Effekt - Max

770mW

Leverantörsenhetspaket

U-DFN3030-8

FET typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-funktioner

Logic Level Gate

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

5.2A

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1472pF @ 10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 22648 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated