köpa Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

DMN2013UFX-7

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Artikelnummer

DMN2013UFX-7

Tillverkare/varumärke

Diodes Incorporated

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

6-VFDFN Exposed Pad

Effekt - Max

780mW

Leverantörsenhetspaket

W-DFN5020-6

FET typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-funktioner

Logic Level Gate

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

10A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

57.4nC @ 8V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2607pF @ 10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 25576 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated