köpa Diodes Incorporated DMN2011UFDF-7 MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

DMN2011UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Artikelnummer

DMN2011UFDF-7

Tillverkare/varumärke

Diodes Incorporated

Serier

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

6-UDFN Exposed Pad

Leverantörsenhetspaket

U-DFN2020-6 (Type F)

Effektförlust (max)

2.1W (Ta)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

14.2A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

1.5V, 4.5V

Vgs (max)

±12V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 25892 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated