DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Artikelnummer
DMN1019USN-7
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SC-59
Effektförlust (max)
680mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50.6nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2426pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 2.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11064 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av DMN1019USN-7
DMN1019USN-7 Elektroniska komponenter
DMN1019USN-7 Försäljning
DMN1019USN-7 Leverantör
DMN1019USN-7 Distributör
DMN1019USN-7 Datatabell
DMN1019USN-7 Foton
DMN1019USN-7 Pris
DMN1019USN-7 Erbjudande
DMN1019USN-7 Lägsta pris
DMN1019USN-7 Sök
DMN1019USN-7 Köp av
DMN1019USN-7 Chip