AOTF4N60L
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
Artikelnummer
AOTF4N60L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
615pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31969 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOTF4N60L
AOTF4N60L Elektroniska komponenter
AOTF4N60L Försäljning
AOTF4N60L Leverantör
AOTF4N60L Distributör
AOTF4N60L Datatabell
AOTF4N60L Foton
AOTF4N60L Pris
AOTF4N60L Erbjudande
AOTF4N60L Lägsta pris
AOTF4N60L Sök
AOTF4N60L Köp av
AOTF4N60L Chip