AOTF3N100
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
Artikelnummer
AOTF3N100
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3F
Effektförlust (max)
38W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8150 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOTF3N100
AOTF3N100 Elektroniska komponenter
AOTF3N100 Försäljning
AOTF3N100 Leverantör
AOTF3N100 Distributör
AOTF3N100 Datatabell
AOTF3N100 Foton
AOTF3N100 Pris
AOTF3N100 Erbjudande
AOTF3N100 Lägsta pris
AOTF3N100 Sök
AOTF3N100 Köp av
AOTF3N100 Chip