AOTF11C60P
MOSFET N-CH
Artikelnummer
AOTF11C60P
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3F
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2333pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52056 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOTF11C60P
AOTF11C60P Elektroniska komponenter
AOTF11C60P Försäljning
AOTF11C60P Leverantör
AOTF11C60P Distributör
AOTF11C60P Datatabell
AOTF11C60P Foton
AOTF11C60P Pris
AOTF11C60P Erbjudande
AOTF11C60P Lägsta pris
AOTF11C60P Sök
AOTF11C60P Köp av
AOTF11C60P Chip