AOK5N100L
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
Artikelnummer
AOK5N100L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
195W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1150pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29425 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOK5N100L
AOK5N100L Elektroniska komponenter
AOK5N100L Försäljning
AOK5N100L Leverantör
AOK5N100L Distributör
AOK5N100L Datatabell
AOK5N100L Foton
AOK5N100L Pris
AOK5N100L Erbjudande
AOK5N100L Lägsta pris
AOK5N100L Sök
AOK5N100L Köp av
AOK5N100L Chip