AOI4C60
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
Artikelnummer
AOI4C60
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
TO-251A
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27813 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOI4C60
AOI4C60 Elektroniska komponenter
AOI4C60 Försäljning
AOI4C60 Leverantör
AOI4C60 Distributör
AOI4C60 Datatabell
AOI4C60 Foton
AOI4C60 Pris
AOI4C60 Erbjudande
AOI4C60 Lägsta pris
AOI4C60 Sök
AOI4C60 Köp av
AOI4C60 Chip