AOD3N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
Artikelnummer
AOD3N80
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53020 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOD3N80
AOD3N80 Elektroniska komponenter
AOD3N80 Försäljning
AOD3N80 Leverantör
AOD3N80 Distributör
AOD3N80 Datatabell
AOD3N80 Foton
AOD3N80 Pris
AOD3N80 Erbjudande
AOD3N80 Lägsta pris
AOD3N80 Sök
AOD3N80 Köp av
AOD3N80 Chip