AOB1100L
MOSFET N-CH 100V 8A TO263
Artikelnummer
AOB1100L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 500W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Ta), 130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4833pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54967 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AOB1100L
AOB1100L Elektroniska komponenter
AOB1100L Försäljning
AOB1100L Leverantör
AOB1100L Distributör
AOB1100L Datatabell
AOB1100L Foton
AOB1100L Pris
AOB1100L Erbjudande
AOB1100L Lägsta pris
AOB1100L Sök
AOB1100L Köp av
AOB1100L Chip