ALD212908PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Artikelnummer
ALD212908PAL
Tillverkare/varumärke
Serier
EPAD®, Zero Threshold™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Effekt - Max
500mW
Leverantörsenhetspaket
8-PDIP
FET typ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
10.6V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
20mV @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16232 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av ALD212908PAL
ALD212908PAL Elektroniska komponenter
ALD212908PAL Försäljning
ALD212908PAL Leverantör
ALD212908PAL Distributör
ALD212908PAL Datatabell
ALD212908PAL Foton
ALD212908PAL Pris
ALD212908PAL Erbjudande
ALD212908PAL Lägsta pris
ALD212908PAL Sök
ALD212908PAL Köp av
ALD212908PAL Chip