ALD212900PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Artikelnummer
ALD212900PAL
Tillverkare/varumärke
Serier
EPAD®, Zero Threshold™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Effekt - Max
500mW
Leverantörsenhetspaket
8-PDIP
FET typ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
10.6V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 Ohm
Vgs(th) (Max) @ Id
20mV @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10850 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av ALD212900PAL
ALD212900PAL Elektroniska komponenter
ALD212900PAL Försäljning
ALD212900PAL Leverantör
ALD212900PAL Distributör
ALD212900PAL Datatabell
ALD212900PAL Foton
ALD212900PAL Pris
ALD212900PAL Erbjudande
ALD212900PAL Lägsta pris
ALD212900PAL Sök
ALD212900PAL Köp av
ALD212900PAL Chip