ALD212900APAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Artikelnummer
ALD212900APAL
Tillverkare/varumärke
Serier
EPAD®, Zero Threshold™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Effekt - Max
500mW
Leverantörsenhetspaket
8-PDIP
FET typ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
10.6V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 Ohm
Vgs(th) (Max) @ Id
10mV @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38458 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av ALD212900APAL
ALD212900APAL Elektroniska komponenter
ALD212900APAL Försäljning
ALD212900APAL Leverantör
ALD212900APAL Distributör
ALD212900APAL Datatabell
ALD212900APAL Foton
ALD212900APAL Pris
ALD212900APAL Erbjudande
ALD212900APAL Lägsta pris
ALD212900APAL Sök
ALD212900APAL Köp av
ALD212900APAL Chip