ALD110914PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Artikelnummer
ALD110914PAL
Tillverkare/varumärke
Serier
EPAD®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
0°C ~ 70°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Effekt - Max
500mW
Leverantörsenhetspaket
8-PDIP
FET typ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
10.6V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12mA, 3mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 Ohm @ 5.4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.42V @ 1µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18028 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av ALD110914PAL
ALD110914PAL Elektroniska komponenter
ALD110914PAL Försäljning
ALD110914PAL Leverantör
ALD110914PAL Distributör
ALD110914PAL Datatabell
ALD110914PAL Foton
ALD110914PAL Pris
ALD110914PAL Erbjudande
ALD110914PAL Lägsta pris
ALD110914PAL Sök
ALD110914PAL Köp av
ALD110914PAL Chip