onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NCP5106BDR2G Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side

NCP5106BDR2G

Half Bridge IGBT MOSFET Sink 500mA Source 250mA MOSFET/IGBT Driver, High Voltage, High Voltage and Low Side
Artikelnummer
NCP5106BDR2G
Kategori
Power Chip > Gate Driver IC
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SOIC-8-150mil
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
The NCP5106 is a high voltage gate driver integrated circuit providing two outputs for direct drive of 2 N-channel power MOSFETs or IGBTs in half-bridge configuration version B or any other high side + low side configuration version A. It uses a bootstrap technique to ensure proper driving of the high side power switch. The driver uses 2 independent inputs. NCP5109 = 200V, NCP5106 = 600V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 75348 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NCP5106BDR2G
NCP5106BDR2G Elektroniska komponenter
NCP5106BDR2G Försäljning
NCP5106BDR2G Leverantör
NCP5106BDR2G Distributör
NCP5106BDR2G Datatabell
NCP5106BDR2G Foton
NCP5106BDR2G Pris
NCP5106BDR2G Erbjudande
NCP5106BDR2G Lägsta pris
NCP5106BDR2G Sök
NCP5106BDR2G Köp av
NCP5106BDR2G Chip