onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
MBR120ESFT3G 20V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V

MBR120ESFT3G

20V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 20 V
Artikelnummer
MBR120ESFT3G
Kategori
diode > Schottky diode
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SOD-123FL
Förpackning
taping
Antal paket
10000
Beskrivning
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system. This encapsulation is also an easy-to-use alternative to the leadless 34 encapsulation style. Due to its small size, it is suitable for portable battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 85359 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av MBR120ESFT3G
MBR120ESFT3G Elektroniska komponenter
MBR120ESFT3G Försäljning
MBR120ESFT3G Leverantör
MBR120ESFT3G Distributör
MBR120ESFT3G Datatabell
MBR120ESFT3G Foton
MBR120ESFT3G Pris
MBR120ESFT3G Erbjudande
MBR120ESFT3G Lägsta pris
MBR120ESFT3G Sök
MBR120ESFT3G Köp av
MBR120ESFT3G Chip