The H11AG1M series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled with a silicon phototransistor using dual-row plug-inencapsulation. This device has the unique feature of high current transfer ratio at low output voltage and low input current. This feature makes it ideal for low power logic circuits, telecom equipment and portable electronic isolation applications
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.